BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Power - Max 200W
Other Names BSM25GD120DN2E3224 SP000100361
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 800µA
Configuration Three Phase Inverter
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BSM25/35GD120 EUPEC IGBT-Module 2756
BSM250D17P2E004 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
BSM254F SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 1406
BSM25GAL100D IGBT Module IGBT-Module 2995
BSM25GAL120D SIEMENS IGBT-Module 2958
BSM25GAL120DN2 EUPEC IGBT-Module 2804
BSM25GB100D SIEMNES IGBT-Module 2749
BSM25GB100DN1 SIEMENS IGBT-Module 2933
BSM25GB120D IGBT Module IGBT-Module 2817
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