BSS225L6327HTSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package PG-SOT89
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 90mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 131pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90mA (Ta)
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