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BSZ058N03MSGATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 40A (Tc)
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BSZ058N03MSGATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, BSZ058N03MSGATMA1 Referenzpreis. BSZ058N03MSGATMA1 Parameter, BSZ058N03MSGATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSZ058N03MSGATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSZ058N03MSGATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSZ058N03MSGATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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