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BSZ086P03NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 105µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4785pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names BSZ086P03NS3 GCT BSZ086P03NS3 GCT-ND BSZ086P03NS3GATMA1CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 40A (Tc)
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BSZ086P03NS3GATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, BSZ086P03NS3GATMA1 Referenzpreis. BSZ086P03NS3GATMA1 Parameter, BSZ086P03NS3GATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSZ086P03NS3GATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSZ086P03NS3GATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSZ086P03NS3GATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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