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DF200R12W1H3B27BOMA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Detailed Description IGBT Module 2 Independent 1200V 30A 375W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.3V @ 15V, 30A
Power - Max 375W
Other Names DF200R12W1H3_B27 DF200R12W1H3_B27-ND SP001056182
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration 2 Independent
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DF2005-G Comchip Technology Dioden - Brückengleichrichter 2759
DF2005S-G Comchip Technology Dioden - Brückengleichrichter 2740
DF2005ST-G Comchip Technology Dioden - Brückengleichrichter 2716
DF200AA-120 IGBT Module IGBT-Module 2923
DF200AA020 Sanrex IGBT-Module 2901
DF200AA040 Sanrex IGBT-Module 2735
DF200AA060 Sanrex IGBT-Module 2872
DF200AA080 SANREX Spezialisierte heiße ICs 2856
DF200AA120 SANKEN IGBT-Module 2964
DF200AA140 SANREX IGBT-Module 2952

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DF200R12W1H3B27BOMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, DF200R12W1H3B27BOMA1 Referenzpreis. DF200R12W1H3B27BOMA1 Parameter, DF200R12W1H3B27BOMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DF200R12W1H3B27BOMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DF200R12W1H3B27BOMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DF200R12W1H3B27BOMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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