DF23MR12W1M1B11BOMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET MODULE 1200V 25A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 10mA
Series CoolSiC™
Power - Max 20mW
Other Names SP001602244
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620nC @ 15V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 25A 20mW Chassis Mount Module
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Module
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 25A, 15V
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 800V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A
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