FD200R12PT4B6BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.5nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Cutoff (Max) 15µA
Configuration Three Phase Inverter
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Power - Max 1100W
Other Names FD200R12PT4_B6 FD200R12PT4_B6-ND SP000989824
NTC Thermistor Yes
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 300A 1100W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 300A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FD2000 FINECHIP Spezialisierte heiße ICs 1680
FD2000046 Diodes Incorporated Oszillatoren 2511
FD2000047 Diodes Incorporated Oszillatoren 2791
FD2000048 Diodes Incorporated Oszillatoren 2775
FD2000049 Diodes Incorporated Oszillatoren 2559
FD2000051 Diodes Incorporated Oszillatoren 2537
FD2000DU-120 IGBT Module IGBT-Module 2700
FD2005 FD Spezialisierte heiße ICs 2527
FD200AV-90 Mitsubishi IGBT-Module 2732
FD200R12KE3 Infineon IGBT-Module 1359

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