IFS75B12N3E4B31BOSA1 Technische Spezifikationen

MOD IGBT LOW PWR ECONO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 150A 385W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Power - Max 385W
Other Names IFS75B12N3E4_B31 SP000643726
NTC Thermistor Yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Full Bridge
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IFS75B12N3E4-B32 IGBT Module IGBT-Module 2798
IFS75B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
IFS75B12N3E4_B31 IGBT Module IGBT-Module 2552
IFS75B12N3E4_B32 IGBT Module IGBT-Module 1264
IFS75B12N3T4_B31 IGBT Module IGBT-Module 2512

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