IGD01N120H2BUMA1 Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 1A, 241 Ohm, 15V
Switching Energy 140µJ
Power - Max 28W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 3.5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A
Td (on/off) @ 25°C 13ns/370ns
Supplier Device Package PG-TO252-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 8.6nC
Current - Collector (Ic) (Max) 3.2A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IGD01N120H2 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 5313
IGD01N120H2 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 5323
IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies Einzelne IGBTs

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