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IPA80R650CEXKSA2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 470µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 5.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPA80R1K0CE infineon Spezialisierte heiße ICs 718
IPA80R1K0CEXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
IPA80R1K0CEXKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2537
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPA80R1K2P7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2645
IPA80R1K4CE INF Spezialisierte heiße ICs 873
IPA80R1K4CEXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2576
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