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IPB011N04L G Technische Spezifikationen

IPB011N04L G Infineon Technologies

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 346nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-7-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 29000pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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IPB011N04L G Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB011N04L G Referenzpreis. IPB011N04L G Parameter, IPB011N04L G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB011N04L G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB011N04L G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB011N04L G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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