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IPB020N10N5LFATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™-5
Power Dissipation (Max) 313W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names IPB020N10N5LFATMA1DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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IPB020N10N5LFATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB020N10N5LFATMA1 Referenzpreis. IPB020N10N5LFATMA1 Parameter, IPB020N10N5LFATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB020N10N5LFATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB020N10N5LFATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB020N10N5LFATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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