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IPB036N12N3GATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13800pF @ 60V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 120V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB036N12N3 G IPB036N12N3 G-ND IPB036N12N3 GTR IPB036N12N3 GTR-ND IPB036N12N3G IPB036N12N3GATMA1TR SP000675204
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 211nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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IPB036N12N3GATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB036N12N3GATMA1 Referenzpreis. IPB036N12N3GATMA1 Parameter, IPB036N12N3GATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB036N12N3GATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB036N12N3GATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB036N12N3GATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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