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IPB037N06N3GATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB037N06N3 G IPB037N06N3 G-ND IPB037N06N3 GTR-ND IPB037N06N3G IPB037N06N3GATMA1TR SP000397986
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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IPB037N06N3GATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB037N06N3GATMA1 Referenzpreis. IPB037N06N3GATMA1 Parameter, IPB037N06N3GATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB037N06N3GATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB037N06N3GATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB037N06N3GATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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