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IPB039N10N3GE8187ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package PG-TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
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IPB039N10N3GE8187ATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB039N10N3GE8187ATMA1 Referenzpreis. IPB039N10N3GE8187ATMA1 Parameter, IPB039N10N3GE8187ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB039N10N3GE8187ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB039N10N3GE8187ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB039N10N3GE8187ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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