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IPB08CN10N G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Supplier Device Package PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 95A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6660pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A (Tc)
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IPB080N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23545
IPB080N03LG VB Spezialisierte heiße ICs 3263
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IPB080N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2769
IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB080N06LG INF Spezialisierte heiße ICs 25000
IPB080N06N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18898
IPB080N06NG VB Spezialisierte heiße ICs 50863
IPB081N06L3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23020
IPB081N06L3G INF Spezialisierte heiße ICs 792

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