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IPB50R199CPATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 139W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IPB50R199CPATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB50R199CPATMA1 Referenzpreis. IPB50R199CPATMA1 Parameter, IPB50R199CPATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB50R199CPATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB50R199CPATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB50R199CPATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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