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IPB60R099C6ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB60R099C6 IPB60R099C6-ND IPB60R099C6ATMA1TR IPB60R099C6TR-ND SP000687468
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37.9A (Tc)
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IPB60R099C6ATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB60R099C6ATMA1 Referenzpreis. IPB60R099C6ATMA1 Parameter, IPB60R099C6ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB60R099C6ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB60R099C6ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB60R099C6ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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