IPB65R150CFDAATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package PG-TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 9.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2340pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 195.3W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.4A (Tc)
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