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IPB80N06S209ATMA2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 125µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2360pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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IPB80N06S209ATMA2 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPB80N06S209ATMA2 Referenzpreis. IPB80N06S209ATMA2 Parameter, IPB80N06S209ATMA2 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB80N06S209ATMA2 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB80N06S209ATMA2 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB80N06S209ATMA2 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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