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IPC100N04S51R2ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™, Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 131nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7650pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A
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IPC100N04S51R2ATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPC100N04S51R2ATMA1 Referenzpreis. IPC100N04S51R2ATMA1 Parameter, IPC100N04S51R2ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPC100N04S51R2ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPC100N04S51R2ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPC100N04S51R2ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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