IPD035N06L3GATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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