IPD230N06NGBTMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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IPD230N06L G I Spezialisierte heiße ICs 45419
IPD230N06LG infineon Spezialisierte heiße ICs 23412
IPD230N06LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 24245
IPD230N06N International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 13740
IPD230N06N G infineon Spezialisierte heiße ICs 23275
IPD230N06N G MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 10260
IPD230N06NG I Spezialisierte heiße ICs 2725
IPD230N06NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 759

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