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IPD65R660CFDBTMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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IPD65R660CFDBTMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPD65R660CFDBTMA1 Referenzpreis. IPD65R660CFDBTMA1 Parameter, IPD65R660CFDBTMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD65R660CFDBTMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD65R660CFDBTMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD65R660CFDBTMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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