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IPI045N10N3GXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPI045N10N3 G IPI045N10N3 G-ND IPI045N10N3G SP000683068
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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IPI045N10N3GXKSA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPI045N10N3GXKSA1 Referenzpreis. IPI045N10N3GXKSA1 Parameter, IPI045N10N3GXKSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPI045N10N3GXKSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPI045N10N3GXKSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPI045N10N3GXKSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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