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IPI06CN10N G Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9200pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
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Datenblätter
IPI06CN10N G.pdf
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPI06N03LA | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2765 |
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IPI06CN10N G Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPI06CN10N G Referenzpreis. IPI06CN10N G Parameter, IPI06CN10N G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPI06CN10N G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPI06CN10N G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPI06CN10N G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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