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IPI111N15N3GAKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 160µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1 mOhm @ 83A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 75V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A (Tc)
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IPI111N15N3GAKSA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPI111N15N3GAKSA1 Referenzpreis. IPI111N15N3GAKSA1 Parameter, IPI111N15N3GAKSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPI111N15N3GAKSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPI111N15N3GAKSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPI111N15N3GAKSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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