IPL60R105P7AUMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 4VSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 530µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 137W (Tc)
Package / Case 4-PowerTSFN
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1952pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 33A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-VSON-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPL60R105P7 IPL60R105P7AUMA1-ND IPL60R105P7AUMA1TR SP001657410
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
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