IPL65R1K0C6SATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 8TSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package Thin-PAK (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 328pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ C6
Power Dissipation (Max) 34.7W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
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IPL65R070C7AUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2797
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