IPN70R360P7SATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 7.2W (Tc)
Package / Case SOT-223-3
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 517pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 700V 12.5A (Tc) 7.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package PG-SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPN70R360P7SATMA1-ND IPN70R360P7SATMA1TR SP001657468
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Tc)
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