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IPN95R2K0P7ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 950V 4A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 80µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 7W (Tc)
Package / Case SOT-223-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 950V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPN95R2K0P7ATMA1TR SP001821834
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 950V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPN95R1K2P7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2608
IPN95R3K7P7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2716

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IPN95R2K0P7ATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPN95R2K0P7ATMA1 Referenzpreis. IPN95R2K0P7ATMA1 Parameter, IPN95R2K0P7ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPN95R2K0P7ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPN95R2K0P7ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPN95R2K0P7ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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