IPS65R650CEAKMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 2.1A, 10V
Packaging Tube
Other Names SP001422888
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.1A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 700V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
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