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IPT012N08N5ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 280µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case 8-PowerSFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 223nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 150A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17000pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
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IPT012N08N5ATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPT012N08N5ATMA1 Referenzpreis. IPT012N08N5ATMA1 Parameter, IPT012N08N5ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPT012N08N5ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPT012N08N5ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPT012N08N5ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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