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IPT60R028G7XTMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.44mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ G7
Power Dissipation (Max) 391W (Tc)
Package / Case 8-PowerSFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-HSOF-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 28.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4820pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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IPT60R028G7XTMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPT60R028G7XTMA1 Referenzpreis. IPT60R028G7XTMA1 Parameter, IPT60R028G7XTMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPT60R028G7XTMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPT60R028G7XTMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPT60R028G7XTMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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