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IPU04N03LA G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5199pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPU04N03LA International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5060
IPU04N03LA 04N03LA International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 924
IPU04N03LA MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5361
IPU04N03LB G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2670

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