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IPU09N03LB G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 58W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPU090N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 7000
IPU090N03LG INF Spezialisierte heiße ICs 4500
IPU09N03 Original Spezialisierte heiße ICs 2784
IPU09N03L International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 1811
IPU09N03LA INFINEO Spezialisierte heiße ICs 792
IPU09N03LA G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 523
IPU09N03LAG Infineo Spezialisierte heiße ICs 8741
IPU09N03LAG IC International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 620
IPU09N03LBG INFINEON Spezialisierte heiße ICs 1810

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