IPU50R3K0CEBKMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ CE
Power Dissipation (Max) 18W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 400mA, 13V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 84pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
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