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IPU80R1K0CEBKMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IPU80R1K0CEBKMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPU80R1K0CEBKMA1 Referenzpreis. IPU80R1K0CEBKMA1 Parameter, IPU80R1K0CEBKMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPU80R1K0CEBKMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPU80R1K0CEBKMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPU80R1K0CEBKMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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