IPW60R199CPFKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 139W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPW60R199CP IPW60R199CP-ND IPW60R199CPX IPW60R199CPXK SP000089802
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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