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IRF1010NSTRRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 43A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3210pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
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IRF1010NSTRRPBF Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IRF1010NSTRRPBF Referenzpreis. IRF1010NSTRRPBF Parameter, IRF1010NSTRRPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF1010NSTRRPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF1010NSTRRPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF1010NSTRRPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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