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IRF1310NPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 22A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
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IRF1310NPBF Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IRF1310NPBF Referenzpreis. IRF1310NPBF Parameter, IRF1310NPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF1310NPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF1310NPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF1310NPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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