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IRF530NL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 17A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF530 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 90290
IRF530 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2347
IRF530 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 90384
IRF530 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF5305 IR Spezialisierte heiße ICs 10354
IRF5305L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6330
IRF5305LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3316
IRF5305LPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 2716
IRF5305P IRF Spezialisierte heiße ICs 31
IRF5305PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 471

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