IRF6609TR1PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ MT
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 31A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6290pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Ta), 150A (Tc)
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