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IRF6610TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ SQ
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 66A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1591
IRF6603TR IOR Spezialisierte heiße ICs 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2697
IRF6603TRPBF IRF Spezialisierte heiße ICs 17939
IRF6604 IRF Spezialisierte heiße ICs 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION Spezialisierte heiße ICs 1409
IRF6604TR1 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 976

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