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IRF6893MTR1PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 29A MX

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3480pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 168A (Tc)
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