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IRF7102 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A
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IRF710 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9330
IRF710 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2360
IRF7101 IR Spezialisierte heiße ICs 5215
IRF7101 IC IR Spezialisierte heiße ICs 628
IRF7101 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 336
IRF7101 SO-8 IR Spezialisierte heiße ICs 5488
IRF7101PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 63147
IRF7101PBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7101PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 15381
IRF7101TPBF IR Spezialisierte heiße ICs 2508

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