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IRF7380QTRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 2.2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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IRF730 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1408
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IRF730 Rochester Electronics, LLC Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF730 IC IR Spezialisierte heiße ICs 716
IRF7301 IR Spezialisierte heiße ICs 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7301TR IR Spezialisierte heiße ICs 3787
IRF7301TR IC IR Spezialisierte heiße ICs 898

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