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IRF7413A Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 6.6A, 10V
Packaging Tube
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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