IRF7521D1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Supplier Device Package Micro8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FETKY™
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF7501 IR Spezialisierte heiße ICs 1292
IRF7501PBF IR Spezialisierte heiße ICs 1477
IRF7501TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2407
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