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IRF7530PBF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 1.3W
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Micro8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Packaging Tube
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF7501 IR Spezialisierte heiße ICs 1292
IRF7501PBF IR Spezialisierte heiße ICs 1477
IRF7501TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2407
IRF7501TR Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7501TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 6183
IRF7501TRPBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7503 IR Spezialisierte heiße ICs 2966
IRF7503PBF IR Spezialisierte heiße ICs 2418
IRF7503TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3483
IRF7503TR Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays

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